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          IFM接近開關接線圖/IFM接近開關技術資料
          點擊次數:2682 更新時間:2016-08-16

          IFM接近開關接線圖/IFM接近開關/IFM接近開關技術資料  
            當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差,這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為
            
            U=K•I•B/d
            
            其中K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。
            
            由此可見,霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。
            
            IFM開關就屬于這種有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。
            
            IFM開關的輸入端是以磁感應強度B來表征的,當B值達到一定的程度(如B1)時,霍爾開關內部的觸發器翻轉,霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出,和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型(雙極性)、雙信號輸出之分。
            
            IFM開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點,內部采用環氧樹脂封灌成一體化,所以能在各類惡劣環境下可靠的工作。霍爾開關可應用于接近傳感器、壓力傳感器、里程表等,作為一種新型的電器配件。IFM接近開關接線圖,IFM接近開關,IFM接近開關技術資料
            
            線性接近傳感器的原理
            
            工作原理:
            
            IFM線性接近傳感器是一種屬于金屬感應的線性器件,接通電源后,在傳感器的感應面將產生一個交變磁場,當金屬物體接近此感應面時,金屬中則產生渦流而吸取了振蕩器的能量,使振蕩器輸出幅度線性衰減,然后根據衰減量的變化來完成無接觸檢測物體的目的。
            
            該接近傳感器具有無滑動觸點,工作時不受灰塵等非金屬因素的影響,并且低功耗,長壽命,可使用在各種惡劣條件下。線性傳感器主要應用在自動化裝備生產線對模擬量的智能控制。
            
            電感式接近開關
            
            工作原理
            
            IFM接近開關由三大部分組成:振蕩器、開關電路及放大輸出電路。振蕩器產生一個交變磁場。當金屬目標接近這一磁場,并達到感應距離時,在金屬目標內產生渦流,從而導致振蕩衰減,以至停振。振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉換成開關信號,觸發驅動控制器件,從而達到非接觸式之檢測目的。
            
            IFM接近開關有兩種安裝方式:齊平安裝和非齊平安裝。
            
            齊平安裝:接近開關頭部可以和金屬安裝支架相平安裝。
            
            非齊平安裝:接近開關頭部不能和金屬安裝支架相平安裝。
            
            一般,可以齊平安裝的接近開關也可以非齊平安裝,但非齊平安裝的接近開關不能齊平安裝。這是因為,可以齊平安裝的接近開關頭部帶有屏蔽,齊平安裝時,其檢測不到金屬安裝支架,而非齊平安裝的接近開關不帶屏蔽,當齊平安裝時,其可以檢測到金屬安裝。正因為如此,非齊平安裝的接近開關的靈敏度比齊平安裝的靈敏度要大些,在實際應用中可以根據實際需要選用。
            
            IFM接近開關接線圖,IFM接近開關,IFM接近開關技術資料

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